IRF840是一种 N沟道场效应管（MOSFET），具有以下主要特性和参数：耐压：40V。最大电流：8A。应用：可用于开关电路、功率放大器等。封装：TO-220AB。栅极阈值电压：10V。漏源击穿电压：500V。导通电阻：0.85Ω。功率耗散：125W。IRF840适用于高电流和高电压的应用场景，例